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Jul 11, 2023

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Scientific Reports volumen 6, Número de artículo: 20343 (2016) Cite este artículo 10k Accesos 225 Citas Detalles de métricas La película bidimensional semiconductora en capas de disulfuro de tungsteno (WS2) se exhibe

Scientific Reports volumen 6, número de artículo: 20343 (2016) Citar este artículo

10k Accesos

225 citas

Detalles de métricas

La película semiconductora de disulfuro de tungsteno (WS2) en capas bidimensionales presenta grandes perspectivas prometedoras en las aplicaciones fotoeléctricas debido a su propiedad única de conversión fotoeléctrica. En este documento, informamos la fabricación simple y escalable de películas WS2 homogéneas, de gran tamaño y transferibles con un espesor de decenas de nanómetros mediante pulverización catódica con magnetrón y proceso de recocido posterior. Las películas WS2 producidas con baja resistencia (4,2 kΩ) se utilizan para fabricar fotodetectores sensibles de banda ancha en la región ultravioleta a visible. Los fotodetectores exhiben excelentes propiedades de fotorespuesta, con una alta capacidad de respuesta de 53,3 A/W y una alta detectividad de 1,22 × 1011 Jones a 365 nm. La estrategia presentada allana un nuevo camino hacia el crecimiento a gran escala de películas WS2 uniformes y de alta calidad transferibles para diversas aplicaciones importantes, incluidos fotodetectores de alto rendimiento, células solares, células fotoelectroquímicas, etc.

El aislamiento exitoso del grafeno a partir del grafito ha atraído una gran atención debido a sus atractivas propiedades eléctricas y mecánicas1,2 y su gran potencial en aplicaciones electrónicas y fotónicas avanzadas3,4,5,6,7,8. Sin embargo, la banda prohibida cero del grafeno limita su aplicación en optoelectrónica. Recientemente, la aparición de dicalcogenuros de metales de transición (TMD) bidimensionales (2D) similares al grafeno ha solucionado muy bien la desventaja de la banda prohibida cero y ha atraído una enorme atención debido a sus propiedades semiconductoras y su potencial para diversas aplicaciones ópticas, eléctricas y fotoeléctricas9,10. ,11,12. WS2 y MoS2 son los dos TMD más típicos con estructura en capas construida con unidades atómicas de tres capas SW/Mo-S13,14. En comparación con MoS2, WS2 tiene una mayor estabilidad térmica y un rango de temperatura operativa más amplio15, y posee una banda prohibida controlable que oscila entre 1,4 y 2,1 eV dependiendo de la estructura de capa adecuada11,16, lo que conduce a una amplia banda de absorción de UV a Visible (UV-Vis). Además, se ha informado que WS2 tiene una fuerte absorbancia de hasta 5 ~ 10 % de la luz solar incidente en un espesor de ~ 1 nm, un orden de magnitud mayor que GaAs y Si17, lo que muestra un gran potencial para fotocatálisis, células solares y alta capacidad de respuesta. Aplicaciones de fotodetectores UV-Vis.

La preparación de una película delgada uniforme WS2 de área grande es el paso más fundamental para la fabricación de diversos dispositivos. Las películas WS2 se pueden preparar mediante métodos de arriba hacia abajo o de abajo hacia arriba. El método de arriba hacia abajo mediante exfoliación mecánica o química de la forma de cristales en masa tiene dificultades para controlar el tamaño y el espesor y obtener películas WS2 uniformes18,19,20. Entre los métodos ascendentes, la deposición química de vapor (CVD) comúnmente puede producir películas 2D monocristalinas de gran área, como el grafeno monocapa21; sin embargo, para los TMD (MoS2, WS2), no ha habido informes sobre la preparación de escala de oblea. películas monocristalinas mediante el método CVD todavía, excepto para la preparación de MoS2 triangular de tamaño micrométrico y WS222,23,24. En cuanto a la preparación de películas TMD policristalinas, el método de deposición por pulverización catódica con magnetrón ha demostrado ser mejor que el método CVD debido a su simplicidad, bajo costo, alta velocidad de producción y escalabilidad.

En este trabajo, se empleó un método de pulverización catódica con magnetrón facial y escalable para fabricar la película policristalina WS2 continua transferible de tamaño centimétrico con un espesor de ~25,2 nm, que luego se utiliza para producir fotodetectores UV-Vis de alto rendimiento, que muestran excelentes propiedades de fotorespuesta de la región ultravioleta a visible (365–650 nm), como alta capacidad de respuesta (53,3 A / W), alta detectividad (hasta ≈1011 Jones) a 365 nm. Por lo tanto, se espera que estas películas WS2 transferibles de alta calidad y gran área tengan grandes aplicaciones potenciales no solo en fotodetectores sino también en otros dispositivos funcionales fotoeléctricos.

Las películas WS2 sobre sustrato de cuarzo se produjeron mediante pulverización catódica con magnetrón seguida de un recocido posterior. Primero se depositó una película precursora de WS2 sobre un sustrato de cuarzo limpio mediante pulverización catódica utilizando un disco WS2 sinterizado como objetivo. Luego se llevó a cabo el proceso de recocido posterior para mejorar la cristalinidad de la película WS2. La Figura 1a muestra el diagrama esquemático del proceso de recocido, la película precursora de WS2 sobre cuarzo se cargó en un reactor tubular y se colocó polvo de azufre aguas arriba en la cámara. El azufre se evaporó a 200 °C y fue arrastrado por un flujo de argón y la temperatura central del horno tubular se ajustó a 800 °C y se mantuvo durante 2 horas, seguido de enfriamiento a temperatura ambiente de forma natural para completar los procesos de recocido. La Figura 1b muestra las fotografías de cuarzo desnudo, la película precursora de WS2 y la película recocida sobre los sustratos de cuarzo utilizados para este experimento y su tamaño relativo como una moneda de un dólar de Hong Kong de 2,5 cm de diámetro. La película precursora de WS2 pulverizada de color gris muestra un color verde amarillento característico del cristal de WS2 de pocas capas después del recocido.

Preparación y transferencia de película WS2.

(a) Diagrama esquemático del proceso de recocido para películas WS2. (b) Una fotografía de cuarzo y WS2 sobre cuarzo antes y después del recocido. (c) Espectros de absorción y transmisión UV-Vis medidos de las películas WS2 recocidas. (d) Espectros Raman de películas WS2 antes y después del recocido. (e) Esquema del proceso de transferencia de una película WS2 cultivada de cuarzo a un sustrato de SiO2/Si. (f) Imagen óptica de la película WS2 transferida sobre sustrato SiO2/Si.

En la Fig. 1c, se presentan los espectros de absorción y transmitancia óptica de la película WS2 recocida. En general, la película WS2 posee una fotoabsorción considerable que cubre todo el rango UV-Vis de 200 a 900 nm, lo que demuestra la muy amplia respuesta fotoeléctrica del rango ultravioleta al visible del fotodetector fabricado con película WS2. La Figura 1c registra dos picos de absorción característicos a 633 nm (1,96 eV) y 530 nm (2,34 eV) que surgen de la transición directa de la banda de valencia a la banda de conducción en el punto K de la zona de Brillouin, conocidas como transiciones A y B, respectivamente. . Los dos picos se formaron debido a la división orbital de espín de la banda de valencia. Además, también se observa el pico C característico centrado a 455 nm (2,72 eV)25,26. Como es bien sabido, la banda prohibida se vuelve más pequeña para el WS216 más grueso, los tres picos han exhibido un pequeño desplazamiento hacia el rojo en comparación con el WS2 mono y bicapa reportado, lo que indica el espesor de pocas capas del WS2 obtenido aquí26.

Los espectros Raman de las películas WS2 antes y después del recocido bajo excitación de 488 nm se obtuvieron y se presentaron en la Fig. 1d. Los dos picos característicos correspondientes al modo E12g, la vibración en el plano de los átomos de tungsteno y azufre, y los modos A1g, las vibraciones fuera del plano de los átomos de azufre, se observan en ambas películas27. Los picos Raman se identifican en 352,3 y 417,4 cm-1 para películas WS2 recocidas y en 352,3 y 416,2 cm-1 para películas precursoras WS2, muy cerca del resultado informado de WS210 de pocas capas, la diferencia de frecuencia de los dos picos Raman del La película WS2 recocida es de 65,1 cm −1, lo que indica que la película está formada por unas pocas nanoestructuras de WS2 en capas. La intensidad máxima de la película WS2 recocida es mucho más fuerte en comparación con la película WS2 prerecocida, lo que contribuye a la mejora de la cristalinidad, lo que da como resultado una dinámica de red reforzada. Otra característica única observada en los espectros Raman es que la relación de intensidad de A1g/E12g de la película WS2 aumentó de ~0,97 a ~1,24 después del recocido y el pico A1g de la película WS2 cambió ligeramente a una frecuencia más alta mientras que el pico E12g permaneció igual después El recocido, que indica el modo A1g, que representa las vibraciones fuera del plano de los átomos de azufre, se ha vuelto más sensible al proceso posterior al recocido.

La Figura 1e muestra que el crecimiento de las películas WS2 sobre el cuarzo se puede transferir a otros sustratos, como SiO2/Si, para la fabricación del dispositivo. Primero, se recubrió por rotación PMMA sobre la muestra de WS2/cuarzo, y luego se sumergió en una solución de hidróxido de potasio (KOH) a 80 °C. KOH puede grabar el sustrato de cuarzo y luego la película PMMA/WS2 flotará sobre la superficie de la solución. Luego, la película flotante de PMMA/WS2 se lavó con agua desionizada varias veces antes de transferirla al nuevo sustrato de SiO2/Si y secarse. A continuación se disolvió finalmente el PMMA en acetona. La imagen óptica de la película WS2 transferida sobre SiO2 / Si que se muestra en la Fig. 1f indica que la película WS2 se mantuvo plana y continua después de ser transferida.

Se llevó a cabo el método de difracción de rayos X (DRX) para investigar la estructura cristalina y la composición de las películas de WS2. Es bien sabido que cada plano de WS2 comprende una triple capa compuesta por una capa de tungsteno intercalada entre dos capas de azufre como se muestra en la Fig. 2a, con los planos cristalinos (002), (004) y (006) a lo largo de la c. dirección que también se presenta en él. Como se observa en los patrones de XRD medidos que se muestran en la Fig. 2b, el patrón de XRD de la película precursora WS2 no muestra picos de difracción detectables, lo que indica que está cerca del estado amorfo. Sin embargo, se observan tres picos de difracción ubicados a 14,31°, 29,02° y 43,74° en la película recocida de WS2, correspondientes a los planos cristalinos (002), (004) y (006) de WS2 hexagonal, respectivamente, lo que confirma la capa de pozo. apilando a lo largo de la dirección c.

Caracterización de la película WS2.

(a) Diagrama de estructura atómica tridimensional de la monocapa WS2. (b) Perfil XRD de películas WS2 sobre cuarzo antes y después del recocido. (c) Imagen AFM tridimensional de película WS2 recocida. (d) Perfil de altura a lo largo de la línea marcada en (c).

La Figura 2c muestra un escaneo de topografía de superficie tridimensional con un microscopio de fuerza atómica (AFM) de la película WS2 recocida, que muestra un pequeño borde de la película, principalmente debido al efecto de agrupamiento en el borde durante el proceso de pulverización y recocido9. La Figura 2d presenta el perfil de altura de la sección de la película WS2 ubicada en la posición marcada en la Fig. 2c, lo que confirma el espesor de la película WS2 recocida a aproximadamente ~ 25,2 nm.

La Figura 3a, b muestra las imágenes TEM de WS2 con diferentes aumentos, lo que revela que la película WS2 está compuesta de innumerables nanohojas de WS2, la mayoría de las cuales son horizontales y pocas crecen verticalmente. La Figura 3c es el patrón SAED de las nanohojas WS2, los anillos de difracción de adentro hacia afuera se atribuyen a los planos (002), (100), (006), (110), (200), respectivamente, como se marca en la figura 24. ,28. La Figura 3d muestra la imagen HRTEM de las nanohojas WS2 cultivadas verticalmente, que muestra la distancia entre capas de WS2 de 0,62 nm, idéntica a la distancia teórica entre capas a lo largo de la dirección del eje c29. La Figura 3e muestra que la imagen HRTEM del WS2 crecido horizontalmente, con un espacio entre planos de 0,27 nm, coincide bien con los planos (110), lo que indica una vista superior en la dirección del eje c30. El espectro EDS de la muestra que se muestra en la Fig. 3f confirma que los elementos tungsteno (W) y azufre (S) están contenidos en la muestra preparada, la existencia de carbono (C), oxígeno (O) y cobre (Cu) se debe a el sustrato de cobre recubierto de carbono para la medición TEM.

Imagen TEM y análisis de película WS2.

( a, b ) Imágenes TEM de WS2 transferido en la red de cobre recubierta de carbono. (c) El patrón SAED del WS2. (d) Imagen HRTEM de las nanohojas WS2 cultivadas verticalmente. (e) Imagen HRTEM de las nanohojas WS2 cultivadas horizontalmente. (f) Espectro EDS de la muestra.

La Figura 4a ilustra esquemáticamente el fotodetector fabricado basado en la película WS2 recocida. Los electrodos de Ti (5 nm)/Au (50 nm) se depositaron sobre la película WS2 mediante el método de evaporación térmica. Se usó una máscara de sombra de acero inoxidable para modelar estas almohadillas de electrodos espaciadas 100 micrómetros y los contactos de Ti/Au fueron capturados por un microscopio CCD y presentados en el recuadro de la Fig. 4b, el fotodetector se conectó a un dispositivo portador de chip para electricidad. pruebas. La Figura 4b muestra la curva corriente-voltaje de la película WS2 recocida medida en ausencia de luz. Los voltajes de polarización cuasi lineales y simétricos para pequeños indican un contacto óhmico entre el canal WS2 y los electrodos de Ti/Au. Luego, se calculó que la resistencia a temperatura ambiente era de 4,2 kΩ de acuerdo con la curva IV que se muestra en la Fig. 4b, más baja que otras enumeradas en la Tabla 1, lo que sugiere alta calidad, conductividad y uniformidad de la película WS2 preparada.

Estructura del dispositivo y fotorespuesta del fotodetector.

( a ) Representación esquemática del fotodetector que consta de una película WS2 y los contactos de Ti / Au sobre cuarzo y las fuentes láser se aplicaron perpendicularmente a la película. (b) Gráfico de corriente-voltaje obtenido sin iluminación; el recuadro muestra la imagen microscópica de un par de electrodos de Ti/Au. (c) Curvas IV del dispositivo obtenidas con diferentes intensidades de luz de 12,1 a 395 μW/cm2 a una longitud de onda de 365 nm. (d) Las gráficas correspondientes de respuesta versus voltaje adquiridas bajo varias intensidades de luz.

Para revelar aún más las propiedades de respuesta fotoeléctrica del fotodetector basado en WS2, se midió la fotocorriente dependiente del voltaje de polarización del fotodetector a 365 nm y se muestra en la Fig. 4c, que muestra una serie de curvas IV con una intensidad de luz incidente creciente (de 12,1 a 395 μW). /cm2), desde donde se puede ver la fotocorriente altamente lineal del dispositivo dependiendo del voltaje de polarización, lo que indica el contacto óhmico entre el canal WS2 y los electrodos de Ti/Au. Como se ve en la Fig. 4c,d, tanto la fotocorriente como la capacidad de respuesta aumentan con el voltaje aplicado. Bajo un voltaje de polarización más alto, los pares de huecos de electrones fotogenerados se pueden separar y capturar de manera más efectiva, con el aumento en la velocidad de deriva de la portadora y luego la reducción en el tiempo de transferencia de la portadora Tt (definido como Tt = l2/μV, donde l es la longitud del canal del dispositivo, μ es la movilidad del portador y V es el voltaje de polarización)31, lo que finalmente da como resultado una mayor fotocorriente y capacidad de respuesta.

La Figura 5a muestra que la fotocorriente del detector aumenta linealmente con la intensidad de la luz de excitación incidente en la longitud de onda de 365 nm bajo varios voltajes aplicados. Bajo una mayor intensidad de iluminación, se generan más pares de electro-agujeros en WS2, con los electrones y los agujeros dirigidos a diferentes electrodos guiados por el campo eléctrico aplicado, lo que resulta en un aumento de la fotocorriente del canal. Sin embargo, como se muestra en la Fig. 5b, la capacidad de respuesta del fotodetector se redujo al aumentar la intensidad de la luz. Este fenómeno debe atribuirse a los estados de trampa que contienen defectos e impurezas cargadas dentro de la película WS2 y en la interfaz entre el cuarzo y WS2. En condiciones de baja intensidad de luz, los electrones fotogenerados son capturados en su mayoría por los estados trampa y, por lo tanto, reducen la recombinación de los pares electrón-hueco. Mientras se encuentra bajo una alta intensidad de iluminación, se capturará una proporción relativamente menor de electrones fotogenerados debido a la cantidad limitada de estados de trampa31. Por lo tanto, el dispositivo era más sensible bajo una intensidad de luz más baja32.

El rendimiento de la película WS2 como fotodetector.

(a) Gráficos de fotocorriente versus intensidad de luz y (b) Gráficos de capacidad de respuesta versus intensidad de luz adquiridos a diferentes voltajes que varían de 1 a 5 V. (c) Fotocorriente y capacidad de respuesta como funciones de la intensidad de la luz a un voltaje de polarización de 5 V. Las curvas se ajustan según la ley de potencia Iph = APα. (d) Dependencia de la capacidad de respuesta y la fotodetectividad de la longitud de onda obtenida con un voltaje de polarización de 5 V.

Para analizar la dependencia cuantitativa de la fotocorriente de la intensidad de la iluminación, en la Fig. 5c se muestra la fotocorriente medida en V = 5 V en función de la intensidad de la luz. La dependencia de la fotocorriente de la intensidad de la luz se puede ajustar mediante una ley de potencia simple: Iph = APα, donde Iph es la fotocorriente, A es una constante de escala, P es la potencia de la luz y α es un exponente. La ecuación de potencia se ajusta (líneas discontinuas) a los datos experimentales (cuadrados sólidos) con un exponente (α = 0,79) entre 0,5 y 1, lo que indica que la saturación se atribuye a una cinética de los portadores fotogenerados que involucra tanto estados de recombinación como Interacciones entre operadores. La capacidad de respuesta (R) se define como la fotocorriente generada por unidad de potencia de la luz incidente en el área efectiva y se obtuvo a partir de los datos experimentales utilizando el R formal = Iph/P y un ajuste cuantitativo de los datos produce un comportamiento de ley de potencia. R = APα−1 con el parámetro de ajuste α = 0,79 (R∝P−0,21) (ver Fig. 5c).

También se miden las respuestas de fotocorriente del dispositivo en el rango visible y la Fig. 5d muestra la dependencia de la respuesta calculada en la longitud de onda, mostrando que la respuesta del fotodetector WS2 aumenta en longitudes de onda espectrales más cortas. Esto es diferente del fotodetector común basado en GaAs cuya capacidad de respuesta cae en regiones de longitud de onda reducida. Los resultados también muestran que la capacidad de respuesta en el rango visible es de decenas de A/W, mucho mayor que los registros demostrados previamente mediante el uso de fotodetectores basados ​​en películas WS2 de pocas capas (2,0 ~ 92 μA/W)10, lo que implica la capacidad del fotodetector basado en películas WS2. para realizar fotodetección de banda ancha desde la región ultravioleta a visible con una alta capacidad de respuesta prometedora y su idoneidad para la fotodetección ultravioleta ultrasensible. Además, para determinar la sensibilidad de detectar una señal óptica débil, se mide y calcula la detectividad específica (D*). Suponiendo que el ruido de disparo procedente de la corriente oscura constituye una contribución importante al ruido total, D* se puede expresar en la forma D* = A1/2R/(2qIdark)1/2, donde R es la capacidad de respuesta, A es la capacidad de respuesta efectiva área del detector, q es el valor absoluto de la carga del electrón e Idark es la corriente oscura33. Se calcula que el D* es 1,22 × 1011 Jones con una intensidad de luz luminiscente de 12,1 μW/cm2 a 365 nm y un voltaje de polarización de 5 V. Estos resultados son superiores o comparables a los fotodetectores previamente informados que se fabrican sobre la base de TMD 2D, como se enumera en la Tabla 1. La capacidad de respuesta y detectividad dependiente de la longitud de onda del dispositivo que se muestra en la Fig. 5d indica claramente una mejor capacidad de respuesta y detectividad en regiones de longitud de onda más corta (lado de mayor energía).

En resumen, demostramos fotodetectores con respuesta de banda ancha UV-Vis de alto rendimiento sobre la base de una película WS2 de área grande y baja resistencia fabricada mediante pulverización catódica con magnetrón y un proceso de recocido posterior. La capacidad de respuesta y la detectividad del fotodetector pueden alcanzar 53,3 A/W y 1,22 × 1011 Jones, respectivamente. Nuestros resultados indican que el método de pulverización catódica con magnetrón es un método simple y escalable para fabricar películas WS2 de alta calidad con diversas aplicaciones de dispositivos, incluidos fotodetectores, células solares, células fotoelectroquímicas, sensores de fototransistores, etc.

Las películas WS2 sobre sustrato de cuarzo se produjeron mediante el método de pulverización catódica con magnetrón seguido de un recocido posterior. La película precursora de WS2 se depositó primero sobre un sustrato de cuarzo limpio mediante pulverización catódica utilizando discos WS2 sinterizados (Φ2*0,125 pulgadas) comprados a China New Metal Materials Technology Co, Ltd. como objetivo. La potencia de radiofrecuencia (RF), la presión del gas argón y la temperatura del sustrato de cuarzo se establecieron en 60 W, 50 Pa y 200 °C, respectivamente, para el proceso de fabricación. La velocidad de deposición fue de aproximadamente 5 nm min-1, lo que dio lugar a una película WS2 de 25,2 nm de espesor después de un tiempo de deposición de 5 min. Luego se llevó a cabo el proceso de recocido posterior para mejorar la cristalinidad de la película WS2. La película precursora de WS2 sobre cuarzo se cargó en un reactor tubular y se colocó polvo de azufre (99,5% de pureza) aguas arriba en la cámara como se muestra en la Fig. 1a. El azufre se evaporó a 200 °C arrastrado por un flujo de argón de 100 sccm. La temperatura central del horno tubular se fijó en 800 °C y se mantuvo estable durante 2 horas, seguido de un enfriamiento natural a temperatura ambiente para completar los procesos de recocido. De hecho, el proceso de post-recocido se puede realizar dentro de la cámara de pulverización catódica calentando directamente el sustrato a alta temperatura en una atmósfera de H2S durante el proceso de pulverización catódica34. Los electrodos de Ti/Au se depositaron sobre la película WS2 mediante evaporación térmica utilizando una máscara de sombra de acero inoxidable para formar canales (Ancho/Longitud = 2 mm/0,1 mm) para las mediciones eléctricas y fotoeléctricas.

Los espectros de absorción y transmisión UV-Vis se registraron en un espectrofotómetro UV-Vis SHIMADZU UV-2550. Las mediciones de los espectros Raman se llevaron a cabo en un espectrómetro Raman HR-800 con un láser de iones de argón de 488 nm. El patrón de difracción de rayos X (DRX) se registró utilizando un difractómetro de rayos X RigakuSmartLab. La morfología de la superficie y la información de altura de las muestras se obtuvieron mediante microscopía de fuerza atómica (AFM, VeecoNanoscope V). La morfología, la estructura cristalina y la composición química se investigaron utilizando un microscopio electrónico de transmisión de emisión de campo (FETEM, JEOL Modelo JEM-2100F), equipado con un espectrómetro de energía dispersiva (EDS). Además, para evaluar el rendimiento de la fotorespuesta del fotodetector basado en película WS2 preparado, se utilizaron para las mediciones cinco fuentes láser que operan a diferentes longitudes de onda (365 nm, 460 nm, 532 nm, 632 nm y 650 nm). Las mediciones eléctricas se realizaron en un sistema de caracterización de semiconductores (Keithley 2400-SCS).

Cómo citar este artículo: Zeng, L. et al. Fotodetector UV-Vis de alta respuesta basado en película transferible WS2 depositada mediante pulverización catódica con magnetrón. Ciencia. Rep. 6, 20343; doi: 10.1038/srep20343 (2016).

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Este trabajo cuenta con el apoyo financiero del Consejo de Subvenciones de Investigación de Hong Kong, China (número de proyecto: GRF 526511/PolyU B-Q26E) y la Universidad Politécnica de Hong Kong (número de proyecto: 1-ZE14).

Zeng Longhui y Tao Lili contribuyeron igualmente a este trabajo.

Departamento de Física Aplicada, Universidad Politécnica de Hong Kong, Hung Hom, Kowloon, Hong Kong

Longhui Zeng, Lili Tao, Chunyin Tang, Bo Zhou, Hui Long, Yang Chai, Shu Ping Lau y Yuen Hong Tsang

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LHZ y LLT planificaron y realizaron los experimentos, recopilaron y analizaron los datos y escribieron el artículo. SPL y YHT supervisaron el proyecto y concibieron los experimentos, analizaron los resultados y escribieron el artículo. CYT, BZ, HL y CY ayudaron con la síntesis de los materiales y recopilaron los datos. Todos los autores han discutido los resultados y leído el manuscrito.

Los autores no declaran tener intereses financieros en competencia.

Este trabajo está bajo una licencia Creative Commons Attribution 4.0 International. Las imágenes u otro material de terceros en este artículo están incluidos en la licencia Creative Commons del artículo, a menos que se indique lo contrario en la línea de crédito; Si el material no está incluido bajo la licencia Creative Commons, los usuarios deberán obtener permiso del titular de la licencia para reproducir el material. Para ver una copia de esta licencia, visite http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/

Reimpresiones y permisos

Zeng, L., Tao, L., Tang, C. et al. Fotodetector UV-Vis de alta respuesta basado en película transferible WS2 depositada mediante pulverización catódica con magnetrón. Representante científico 6, 20343 (2016). https://doi.org/10.1038/srep20343

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Recibido: 14 de octubre de 2015

Aceptado: 30 de diciembre de 2015

Publicado: 29 de enero de 2016

DOI: https://doi.org/10.1038/srep20343

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